FDFS2P106A

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MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

NOVA partie #:

312-2288054-FDFS2P106A

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDFS2P106A

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDFS2P106
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Paquet/caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	714 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	900mW (Ta)
Autres noms	FDFS2P106ATR FDFS2P106A_NLCT-ND FDFS2P106ADKR FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ACT FDFS2P106ACT-NDR FDFS2P106A_NLCT FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106ATR-NDR