ISC0804NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
NOVA partie #:
312-2296183-ISC0804NLSATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
ISC0804NLSATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 59A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ 5 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 59A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 28µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 60W (Tc) | |
| Autres noms | SP005430380 448-ISC0804NLSATMA1TR 448-ISC0804NLSATMA1DKR 448-ISC0804NLSATMA1CT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
ISC0806NLSATMA1Infineon Technologies- ISC0805NLSATMA1Infineon Technologies
