IXTA3N100D2

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
NOVA partie #:
312-2283582-IXTA3N100D2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTA3N100D2
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:IXYS
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-263AA
Numéro de produit de base IXTA3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieDepletion
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 5 V
Fonction FETDepletion Mode
Paquet/caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1000 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 125W (Tc)
Autres noms623496

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