IRLL024NTRPBF

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MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

NOVA partie #:

312-2282409-IRLL024NTRPBF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRLL024NTRPBF

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-223
Numéro de produit de base	IRLL024
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	HEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15.6 nC @ 5 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±16V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	1W (Ta)
Autres noms	IRLL024NTRPBF-ND IRLL024NPBFTR IRLL024NTRPBFTR-ND IRLL024NPBFDKR *IRLL024NTRPBF IRLL024NPBFCT Q8849905 SP001568956