LP0701N3-G

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Microchip Technology
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-92
Numéro de produit de base	LP0701N3
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	500mA (Tj)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 300mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vg (Max)	±10V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	16.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	1W (Tc)

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