SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
NOVA partie #:
312-2292171-SISHA12ADN-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SISHA12ADN-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 25A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Numéro de produit de base | SISHA12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® Gen IV | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 25A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Vg (Max) | +20V, -16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) | |
| Autres noms | SISHA12ADN-T1-GE3CT SISHA12ADN-T1-GE3TR SISHA12ADN-T1-GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
NTTFS4937NTWGonsemi