STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
NOVA partie #:
312-2289067-STH275N8F7-2AG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STH275N8F7-2AG
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | H2Pak-2 | |
| Numéro de produit de base | STH275 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 193 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 315W (Tc) | |
| Autres noms | -497-15473-1 -497-15473-2 497-15473-6 -497-15473-6 497-15473-2 497-15473-1 |
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