NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
NOVA partie #:
312-2287792-NVTFS5116PLTWG
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NVTFS5116PLTWG
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
P-Channel 60 V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Numéro de produit de base | NVTFS5116 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerWDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) | |
| Autres noms | NVTFS5116PLTWGOSDKR NVTFS5116PLTWG-ND NVTFS5116PLTWGOSCT NVTFS5116PLTWGOSTR |
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