AOB66916L
MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
NOVA partie #:
312-2279780-AOB66916L
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
AOB66916L
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
N-Channel 100 V 35.5A (Ta), 120A (Tc) 8.3W (Ta), 277W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) | |
| Numéro de produit de base | AOB66916 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | AlphaSGT™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35.5A (Ta), 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6180 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 8.3W (Ta), 277W (Tc) | |
| Autres noms | 785-1845-1 785-1845-2 785-1845-6 |
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