C3M0015065K
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
NOVA partie #:
312-2289972-C3M0015065K
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
C3M0015065K
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247-4L | |
| Numéro de produit de base | C3M0015065 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | C3M™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 55.8A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 15.5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 188 nC @ 15 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-4 | |
| Vg (Max) | +15V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5011 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 416W (Tc) | |
| Autres noms | -3312-C3M0015065K 1697-C3M0015065K |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
C3M0030090KWolfspeed, Inc.- C3M0021120KWolfspeed, Inc.
UJ4C075018K4SUnitedSiC
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
NTH4L015N065SC1onsemi
C3M0025065DWolfspeed, Inc.
MSC015SMA070B4Microchip Technology
G3R75MT12KGeneSiC Semiconductor- C3M0015065DWolfspeed, Inc.
- NTH4L045N065SC1onsemi
- C3M0025065KWolfspeed, Inc.
C3M0120065JWolfspeed, Inc.- UJ4C075060K4SUnitedSiC
