IRF7855PBF

MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
NOVA partie #:
312-2294667-IRF7855PBF
Pièce de fabricant non:
IRF7855PBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:International Rectifier
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SO
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta)
Autres noms2156-IRF7855PBF
IFEIRFIRF7855PBF

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