SPD08P06PGBTMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO252-3
Numéro de produit de base	SPD08P06
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	8.83A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	42W (Tc)
Autres noms	SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE