NTMFS005N10MCLT1G

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	16A (Ta), 105A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 192µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	3W (Ta), 125W (Tc)
Autres noms	488-NTMFS005N10MCLT1GTR 488-NTMFS005N10MCLT1GDKR 488-NTMFS005N10MCLT1GCT

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