IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO268
NOVA partie #:
312-2283887-IXTT16N10D2
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IXTT16N10D2
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-268AA | |
| Numéro de produit de base | IXTT16 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Depletion | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 8A, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | Depletion Mode | |
| Paquet/caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 830W (Tc) | |
| Autres noms | -IXTT16N10D2 |
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