IPP60R080P7XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3

NOVA partie #:

312-2264869-IPP60R080P7XKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPP60R080P7XKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Numéro de produit de base	IPP60R080
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ P7
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	37A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-220-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	650 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2180 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (maximale)	129W (Tc)
Autres noms	SP001647034