FDS2670
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2288432-FDS2670
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDS2670
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | FDS26 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | PowerTrench® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1228 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta) | |
| Autres noms | FDS2670TR FDS2670CT ONSONSFDS2670 2156-FDS2670-OS FDS2670DKR FDS2670-ND |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
FDS2734onsemi
IXTH6N120IXYS
FDMQ8205onsemi- FDS2672onsemi
BSC22DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
