BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
NOVA partie #:
312-2280488-BSS139H6327XTSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSS139H6327XTSA1
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT23 | |
| Numéro de produit de base | BSS139 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | SIPMOS® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100µA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 56µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | Depletion Mode | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 250 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 76 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 360mW (Ta) | |
| Autres noms | BSS139 H6327TR-ND BSS139H6327 BSS139H6327XTSA1TR BSS139 H6327CT-ND BSS139 H6327-ND SP000702610 BSS139H6327XTSA1DKR BSS139H6327XTSA1CT BSS139 H6327DKR BSS139 H6327CT BSS139 H6327 BSS139 H6327DKR-ND |
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