NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
NOVA partie #:
312-2280348-NVJS4151PT1G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NVJS4151PT1G
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Numéro de produit de base | NVJS4151 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vg (Max) | ±12V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.2W (Ta) | |
| Autres noms | NVJS4151PT1GOSCT NVJS4151PT1G-ND NVJS4151PT1GOSDKR ONSONSNVJS4151PT1G NVJS4151PT1GOSTR 2156-NVJS4151PT1G-OS |
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