ISC0802NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
NOVA partie #:
312-2297500-ISC0802NLSATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
ISC0802NLSATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-7 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ 5 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 150A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 92µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5190 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| Autres noms | 448-ISC0802NLSATMA1CT 448-ISC0802NLSATMA1TR SP005430372 448-ISC0802NLSATMA1DKR |
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