BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
NOVA partie #:
312-2281091-BSC011N03LSATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSC011N03LSATMA1
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
| Numéro de produit de base | BSC011 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Autres noms | BSC011N03LSATMA1DKR BSC011N03LSDKR-ND BSC011N03LSATMA1CT BSC011N03LSDKR BSC011N03LSATMA1TR BSC011N03LSTR SP000799082 BSC011N03LS BSC011N03LSTR-ND BSC011N03LSCT-ND BSC011N03LSCT |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BSC030N03LSGATMA1Infineon Technologies- BSC031N06NS3GATMA1Infineon Technologies
IRLML2502TRPBFInfineon Technologies
VS-12CWQ10FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC011N03LSTATMA1Infineon Technologies
NSR0320MW2T1Gonsemi- BSC020N03LSGATMA1Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1Infineon Technologies- BAT54HT1Gonsemi
