SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
NOVA partie #:
312-2264608-SSM3J56ACT,L3F
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SSM3J56ACT,L3F
Paquet Standard:
10,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | CST3 | |
| Numéro de produit de base | SSM3J56 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVI | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SC-101, SOT-883 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 500mW (Ta) | |
| Autres noms | SSM3J56ACTL3FDKR SSM3J56ACTL3FTR SSM3J56ACTL3FCT SSM3J56ACT,L3F(T SSM3J56ACT,L3F(B |
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