SIHP10N40D-GE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
NOVA partie #:
312-2277055-SIHP10N40D-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHP10N40D-GE3
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:

N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220AB
Numéro de produit de base SIHP10
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)400 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 526 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale) 147W (Tc)

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