SIHP052N60EF-GE3

MOSFET EF SERIES TO-220AB
NOVA partie #:
312-2272398-SIHP052N60EF-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHP052N60EF-GE3
Paquet Standard:
1,000

N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220AB
Numéro de produit de base SIHP052
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieEF
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 48A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 101 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3380 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale) 278W (Tc)
Autres noms742-SIHP052N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE3TR-ND
742-SIHP052N60EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHP052N60EF-GE

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