NTD4815N-35G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
NOVA partie #:
312-2277017-NTD4815N-35G
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTD4815N-35G
Paquet Standard:
75
Fiche technique:
N-Channel 30 V 6.9A (Ta), 35A (Tc) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Through Hole I-Pak
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | I-Pak | |
| Numéro de produit de base | NTD4815 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 35A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 11.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1 nC @ 11.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 12 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) | |
| Autres noms | NTD4815N-35GOS 2156-NTD4815N-35G-OS NTD4815N-35G-ND ONSONSNTD4815N-35G |
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