SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
NOVA partie #:
312-2284373-SI1013CX-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI1013CX-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
P-Channel 20 V 450mA (Ta) 190mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SC-89-3 | |
| Numéro de produit de base | SI1013 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 450mA (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760mOhm @ 400mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SC-89, SOT-490 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 190mW (Ta) | |
| Autres noms | SI1013CX-T1-GE3TR SI1013CX-T1-GE3DKR SI1013CX-T1-GE3CT SI1013CX-T1-GE3-ND |
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