BSC018N04LSGATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC018
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Autres noms	SP000388293 BSC018N04LS GDKR BSC018N04LSGATMA1TR BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC018N04LSGATMA1DKR BSC018N04LS G BSC018N04LS GCT-ND BSC018N04LS GTR-ND BSC018N04LSGATMA1CT BSC018N04LS GDKR-ND BSC018N04LS G-ND BSC018N04LSG BSC018N04LS GCT BSC018N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND

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