TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
NOVA partie #:
312-2269754-TK125V65Z,LQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK125V65Z,LQ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Numéro de produit de base | TK125V65 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | DTMOSVI | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 24A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.02mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 650 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 300 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 190W (Tc) | |
| Autres noms | 264-TK125V65Z,LQDKR 264-TK125V65Z,LQDKR-ND 264-TK125V65Z,LQTR 264-TK125V65Z,LQCT 264-TK125V65ZLQTR 264-TK125V65ZLQCT 264-TK125V65Z,LQTR-ND TK125V65Z,LQ(S 264-TK125V65Z,LQCT-ND 264-TK125V65ZLQDKR |
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