IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
NOVA partie #:
312-2297565-IPB049N08N5ATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPB049N08N5ATMA1
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3 | |
| Numéro de produit de base | IPB049 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 66µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 125W (Tc) | |
| Autres noms | 2156-IPB049N08N5ATMA1 448-IPB049N08N5ATMA1CT 448-IPB049N08N5ATMA1TR IPB049N08N5ATMA1-ND INFINFIPB049N08N5ATMA1 SP001227052 448-IPB049N08N5ATMA1DKR |
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