VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
NOVA partie #:
312-2276397-VN10KN3-G-P002
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
VN10KN3-G-P002
Paquet Standard:
2,000
Fiche technique:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-92-3 | |
| Numéro de produit de base | VN10KN3 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 310mA (Tj) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1W (Tc) | |
| Autres noms | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
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