TPH6400ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
NOVA partie #:
312-2288046-TPH6400ENH,L1Q
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPH6400ENH,L1Q
Paquet Standard:
5,000
Fiche technique:
N-Channel 200 V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Numéro de produit de base | TPH6400 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVIII-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 13A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 6.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | |
| Autres noms | TPH6400ENHL1QCT TPH6400ENHL1QDKR TPH6400ENH,L1Q(M TPH6400ENH,L1QDKR TPH6400ENH,L1QTR-ND TPH6400ENH,L1QCT-ND TPH6400ENH,L1QTR TPH6400ENH,L1QDKR-ND TPH6400ENHL1QTR TPH6400ENH,L1QCT |
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