TPC8129,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
NOVA partie #:
312-2300768-TPC8129,LQ(S
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TPC8129,LQ(S
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOP | |
| Numéro de produit de base | TPC8129 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVI | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 9A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | +20V, -25V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1W (Ta) | |
| Autres noms | TPC8129LQ(S TPC8129LQS |
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