FCPF650N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
NOVA partie #:
312-2275768-FCPF650N80Z
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FCPF650N80Z
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220F | |
| Numéro de produit de base | FCPF650 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | SuperFET® II | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 800 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1565 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 30.5W (Tc) | |
| Autres noms | 2156-FCPF650N80Z ONSFSCFCPF650N80Z |
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