DMN3032LE-13

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MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

NOVA partie #:

312-2263476-DMN3032LE-13

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

DMN3032LE-13

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Diodes Incorporated
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-223-3
Numéro de produit de base	DMN3032
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	5.6A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	498 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.8W (Ta)
Autres noms	DMN3032LE-13DITR DMN3032LE-13DICT DMN3032LE-13DIDKR