IRFM120ATF

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MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

NOVA partie #:

312-2281484-IRFM120ATF

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IRFM120ATF

Paquet Standard:

4,000

Fiche technique:

N-Channel 100 V 2.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	SOT-223-4
Numéro de produit de base	IRFM120
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.4W (Ta)
Autres noms	IRFM120ATFDKR IRFM120ATFTR IRFM120ATFCT