IPB072N15N3GATMA1

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3-2
Numéro de produit de base	IPB072
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	150 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5470 pF @ 75 V
Dissipation de puissance (maximale)	300W (Tc)
Autres noms	IPB072N15N3G IPB072N15N3GATMA1TR IPB072N15N3 GTR-ND IPB072N15N3 GCT-ND IPB072N15N3GATMA1DKR SP000386664 IPB072N15N3 G-ND IPB072N15N3GATMA1CT IPB072N15N3 G IPB072N15N3 GCT IPB072N15N3 GDKR-ND IPB072N15N3 GDKR 2156-IPB072N15N3GATMA1 INFINFIPB072N15N3GATMA1