SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
NOVA partie #:
312-2291194-SQ4153EY-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQ4153EY-T1_GE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC | |
| Numéro de produit de base | SQ4153 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 12 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 6 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 7.1W (Tc) | |
| Autres noms | SQ4153EY-T1_GE3DKR SQ4153EY-T1_GE3TR SQ4153EY-T1_GE3CT SQ4153EY-T1_GE3-ND |
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