UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
NOVA partie #:
312-2283930-UF3C120040K4S
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
UF3C120040K4S
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | UnitedSiC | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247-4 | |
| Numéro de produit de base | UF3C120040 | |
| Technologie | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 40A, 12V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-247-4 | |
| Vg (Max) | ±25V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 429W (Tc) | |
| Autres noms | 2312-UF3C120040K4S |
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