SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
NOVA partie #:
312-2264425-SIHD12N50E-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SIHD12N50E-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TA) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D-Pak | |
| Numéro de produit de base | SIHD12 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | E | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±30V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 550 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 114W (Tc) | |
| Autres noms | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR-ND SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE SIHD12N50E-GE3DKR SIHD12N50E-GE3TR-ND SIHD12N50E-GE3CT-ND SIHD12N50E-GE3TR |
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