PSMN059-150Y,115

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Numéro de produit de base	PSMN059
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	43A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	27.9 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	SC-100, SOT-669
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	150 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1529 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	113W (Tc)
Autres noms	568-4734-2 PSMN059-150Y T/R 568-4734-1 PSMN059-150Y,115-ND 1727-4171-6 1727-4171-1 1727-4171-2 PSMN059150Y115 934061773115 NEXNEXPSMN059-150Y,115 568-4734-6 568-4734-6-ND 2156-PSMN059-150Y,115-NEX PSMN059-150Y T/R-ND 568-4734-1-ND 568-4734-2-ND

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