STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
NOVA partie #:
312-2290667-STB100N10F7
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
STB100N10F7
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) | |
| Numéro de produit de base | STB100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 150W (Tc) | |
| Autres noms | -497-14527-1 497-14527-6 -497-14527-2 497-14527-1 497-14527-2 STB100N10F7-ND -497-14527-6 |
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