SQ3426EV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
NOVA partie #:
312-2281153-SQ3426EV-T1_GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SQ3426EV-T1_GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-TSOP | |
| Numéro de produit de base | SQ3426 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 5W (Tc) | |
| Autres noms | SQ3426EV-T1_GE3CT SQ3426EV-T1_GE3TR SQ3426EV-T1_GE3DKR |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
BSL606SNH6327XTSA1Infineon Technologies
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay Siliconix- SQ3426EV-T1_BE3Vishay Siliconix
FDC5661N-F085onsemi
SN74LVC1G17QDCKRQ1Texas Instruments
SQ4470EY-T1_GE3Vishay Siliconix
BSS670S2LH6327XTSA1Infineon Technologies