IRFHS8342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
NOVA partie #:
312-2285033-IRFHS8342TRPBF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IRFHS8342TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-6 | |
| Numéro de produit de base | IRFHS8342 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | HEXFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 19A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-PowerVDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 2.1W (Ta) | |
| Autres noms | SP001556608 IRFHS8342TRPBFTR IRFHS8342TRPBFDKR IRFHS8342TRPBFCT IRFHS8342TRPBF-ND |
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