BSH108,215

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MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

NOVA partie #:

312-2284567-BSH108,215

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSH108,215

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

N-Channel 30 V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-236AB
Numéro de produit de base	BSH108
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	830mW (Tc)
Autres noms	568-6216-1 568-6216-2 1727-4925-6 934055571215 BSH108 T/R BSH108,215-ND 568-6216-1-ND 1727-4925-2 1727-4925-1 BSH108215 BSH108 T/R-ND 568-6216-6 568-6216-2-ND 568-6216-6-ND