SISS26DN-T1-GE3

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8S
Numéro de produit de base	SISS26
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET® Gen IV
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 1212-8S
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1710 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	57W (Tc)
Autres noms	SISS26DN-T1-GE3DKR SISS26DN-T1-GE3TR SISS26DN-T1-GE3CT

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