CSD18512Q5BT

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Texas Instruments
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-VSON-CLIP (5x6)
Numéro de produit de base	CSD18512
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	NexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	211A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7120 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	139W (Tc)
Autres noms	296-CSD18512Q5BTCT CSD18512Q5BT-ND 2156-CSD18512Q5BT TEXTISCSD18512Q5BT 296-CSD18512Q5BTDKR 296-CSD18512Q5BTTR

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