RS1L145GNTB

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-HSOP
Numéro de produit de base	RS1L
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	14.5A (Ta), 47A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1880 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	3W (Ta)
Autres noms	RS1L145GNTBDKR RS1L145GNTBCT RS1L145GNTBTR

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