TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
NOVA partie #:
312-2287948-TK5R1P08QM,RQ
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TK5R1P08QM,RQ
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 175°C | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DPAK | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSX-H | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 84A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 104W (Tc) | |
| Autres noms | 264-TK5R1P08QM,RQDKR-ND 264-TK5R1P08QM,RQDKR 264-TK5R1P08QMRQDKR 264-TK5R1P08QM,RQTR TK5R1P08QM,RQ(S2 264-TK5R1P08QM,RQCT-ND 264-TK5R1P08QM,RQCT 264-TK5R1P08QMRQTR 264-TK5R1P08QM,RQTR-ND 264-TK5R1P08QMRQCT |
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