PSMN9R5-100BS,118

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	D2PAK
Numéro de produit de base	PSMN9R5
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	89A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4454 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	211W (Tc)
Autres noms	568-9709-1 568-9709-2 568-9709-1-ND 568-9709-2-ND 568-9709-6 934066208118 NEXNEXPSMN9R5-100BS,118 568-9709-6-ND PSMN9R5-100BS,118-ND 2156-PSMN9R5-100BS,118-NEX PSMN9R5100BS118 1727-7218-6 1727-7218-1 1727-7218-2

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