SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
NOVA partie #:
312-2280336-SI2302CDS-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI2302CDS-T1-GE3
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
N-Channel 20 V 2.6A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Numéro de produit de base | SI2302 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vg (Max) | ±8V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 710mW (Ta) | |
| Autres noms | SI2302CDS-T1-GE3CT SI2302CDST1GE3 SI2302CDS-T1-GE3DKR SI2302CDS-T1-GE3TR |
In stock Besoin de plus?
0,08390 $US
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
DMG2302UKQ-7Diodes Incorporated
SI2301CDS-T1-E3Vishay Siliconix- SI2305CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
CPH3456-TL-Wonsemi
AD8051ARTZ-REELAnalog Devices Inc.- ZXMN2A01FTADiodes Incorporated
- SI2302A-TPMicro Commercial Co
- SI2301BDS-T1-E3Vishay Siliconix
- SI2301CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
MRA4004T3Gonsemi
16SVPF560MPanasonic Electronic Components
