TPH9R506PL,LQ

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Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Numéro de produit de base	TPH9R506
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	U-MOSIX-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerVDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1910 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale)	830mW (Ta), 81W (Tc)
Autres noms	264-TPH9R506PLLQTR 264-TPH9R506PLLQCT TPH9R506PL,LQ(S 264-TPH9R506PLLQDKR

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